F Udrea: шукати на сайті Z-Library

Udrea, Florin, Deboy, Gerald, Fujihira, Tatsuhiko

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.50 MB

english, 2018

Superjunction Power Devices, History, Development, and Future Prospects

Журнал:

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.29 MB

english, 2017

Analytic Model of Specific On-state Resistance for Superjunction MOSFETs with an Oxide Pillar

Журнал:

Florin Udrea, Gehan Amaratunga

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 483 KB

english, 2019

The trench Insulated Gate Bipolar Transistor— a high power switching device

Журнал:

Microelectronics Journal

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 999 KB

english, 1997

The Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor Optimization and Modeling

Antoniou, M., Udrea, F., Bauer, F.

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.16 MB

english, 2010

The Soft Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor: A High Speed Structure With Enhanced Electron Injection

Antoniou, M., Udrea, F., Bauer, F., Nistor, I.

Журнал:

Journal of Microelectromechanical Systems

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.19 MB

english, 2011

Tungsten-Based SOI Microhotplates for Smart Gas Sensors

Ali, S.Z., Udrea, F., Milne, W.I., Gardner, J.W.

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.79 MB

english, 2008

[IEEE International Semiconductor Conference - Sinaia, Romania (8-12 Oct. 2002)] Proceedings. International Semiconductor Conference - Buried field rings - a novel edge termination method for 4H-SiC high voltage devices

Mihaila, A., Udrea, F., Godignon, P., Trajkovic, T., Brezeanu, G., Rusu, A., Rebollo, J., Millan, J.

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 350 KB

english, 2002

On the Specific On-state Resistance of Superjunction MOSFETs with a Compensated Pillar

Журнал:

Findlay, Emma M., Udrea, Florin

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 788 KB

english, 2018

Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor: A Review of Current Technologies

Журнал:

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.77 MB

english, 2018

Theory of 3-D Superjunction MOSFET

Журнал:

Diamond and Related Materials

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.18 MB

english, 2019

Modelling of single-crystal diamond Schottky diodes for high-voltage applications

Rashid, S.J., Tajani, A., Coulbeck, L., Brezeanu, M., Garraway, A., Butler, T., Rupesinghe, N.L., Twitchen, D.J., Amaratunga, G.A.J., Udrea, F., Taylor, P., Dixon, M., Isberg, J.

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 487 KB

english, 2006

CMOS Interfacing for Integrated Gas Sensors: A Review

Gardner, Julian W, Guha, Prasanta K, Udrea, Florin, Covington, James A

Журнал:

IEEE Sensors Journal

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.97 MB

english, 2010

200 V Superjunction N-Type Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor With Improved Latch-Up Characteristics

Tee, Elizabeth Kho Ching, Antoniou, Marina, Udrea, Florin, Holke, Alexander, Pilkington, Steven John, Pal, Deb Kumar, Yew, Ng Liang, Abidin, Wan Azlan Bin Wan Zainal

Журнал:

Mansoor, Mohtashim, Haneef, Ibraheem, Akhtar, Suhail, De Luca, Andrea, Udrea, Florin

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 381 KB

english, 2013

Silicon diode temperature sensors—A review of applications

Журнал:

Sensors and Actuators A: Physical

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.40 MB

english, 2015

On the physical operation and optimization of the p-GaN gate in normally-off GaN HEMT devices

Efthymiou, L., Longobardi, G., Camuso, G., Chien, T., Chen, M., Udrea, F.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.76 MB

english, 2017

[IEEE 2017 International Conference on Modern Power Systems (MPS) - Cluj-Napoca, Romania (2017.6.6-2017.6.9)] 2017 International Conference on Modern Power Systems (MPS) - Possibilities of connection for the offshore wind power plants: Comparison between HVAC and HVDC-LCC

Zachia, Oana Udrea, Tolea, Alexandra, Lazaroiu, Gheorghe, Tirsu, Mihai, Galbura, Victor

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.28 MB

english, 2017

[IEEE 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - Chicago, IL (2018.5.13-2018.5.17)] 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - Effect of device layout on the switching of enhancement mode GaN HEMTs

Efthymiou, Loizos, Camuso, Gianluca, Longobardi, Giorgia, Udrea, Florin, Chien, Terry, Chen, Max, Shibib, Ayman, Terrill, Kyle

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.25 MB

english, 2018

LoRaWAN Battery-Free Wireless Sensors Network Designed for Structural Health Monitoring in the Construction Domain

Loubet, Gaël, Takacs, Alexandru, Gardner, Ethan, De Luca, Andrea, Udrea, Florin, Dragomirescu, Daniela

Журнал:

Sensors

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 6.63 MB

english, 2019

Modeling of Large Area Trench IGBTs: The Effect of Birds-Beak

Findlay, E. M., Udrea, F.

Журнал:

Tiwari, Amit K., Antoniou, Marina, Lophitis, Neophytos, Perkins, Samuel, Trajkovic, Tatjana, Udrea, Florin

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.71 MB

english, 2019

Retrograde p-Well for 10-kV Class SiC IGBTs

Журнал:

Efthymiou, Loizos, Murukesan, Karthick, Longobardi, Giorgia, Udrea, Florin, Shibib, Ayman, Terrill, Kyle

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.97 MB

english, 2019

Understanding the threshold voltage instability during off-state stress in p-GaN HEMTs

Журнал:

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 549 KB

english, 2019

[IEEE 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - Shanghai, China (2019.5.19-2019.5.23)] 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - Static and Dynamic Figures of Merits (FOM) for Superjunction MOSFETs

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 524 KB

english, 2019

Dynamic CGD and dV/dt in Superjunction MOSFETs

Журнал:

Kang, Hyemin, Udrea, Florin

Рік:

2020

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.48 MB

english, 2020

True Origin of Gate Ringing in Superjunction MOSFETs: Device View

Журнал:

IEEE Transactions on Power Electronics

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.29 MB

2020

Analysis of lifetime control in high-voltage IGBTs

X Yuan, F Udrea, L Coulbeck, P.R Waind, G.A.J Amaratunga

Журнал:

F Udrea, G.A.J Amaratunga

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.33 MB

english, 2002

An on-state analytical model for the Trench Insulated Gate Bipolar Transistor (TIGBT)

Журнал:

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 781 KB

english, 1997

1.2 kV trench insulated gate bipolar transistors (IGBT's) with ultralow on-resistance

Udrea, F., Chan, S.S.M., Thomson, J., Trajkovic, T., Waind, P.R., Amaratunga, G.A.J., Crees, D.E.

Журнал:

IEEE Transactions on Power Electronics

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 702 KB

english, 1999

The Current Sharing Optimization of Paralleled IGBTs in a Power Module Tile Using a PSpice Frequency Dependent Impedance Model

Azar, R., Udrea, R., Wai Tung Ng, Dawson, F., Findlay, W., Waind, P.

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.24 MB

english, 2008

Analytical modelling for the RESURF effect in JI and SOI power devices

Popescu, A., Udrea, F., Ng, R., Milne, W.I.

Журнал:

IEE Proceedings - Circuits Devices and Systems

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.20 MB

english, 2002

Theoretical and numerical comparison between DMOS and trench technologies for insulated gate bipolar transistors

Udrea, F., Amaratunga, G.A.J.

Журнал:

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.16 MB

english, 1995

Breakdown Voltage for Superjunction Power Devices With Charge Imbalance: An Analytical Model Valid for Both Punch Through and Non Punch Through Devices

Han Wang, Napoli, E., Udrea, F.

Журнал:

IEEE Transactions on Power Electronics

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 391 KB

english, 2009

[IEEE The Fifth International Conference on Power Electronics and Drive Systems, 2003. PEDS 2003. - Singapore (17-20 Nov. 2003)] The Fifth International Conference on Power Electronics and Drive Systems, 2003. PEDS 2003. - Trench oxide protection for 10 kV 4H-SiC Trench MOSFETs

Rashid, S.J., Mihaila, A., Udrea, F., Amaratunga, G.

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 367 KB

english, 2003

On-state analytical modeling of IGBTs with local lifetime control

Xiaolu Yuan,, Udrea, F., Coulbeck, L., Waind, P., Amaratunga, G.

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 413 KB

english, 2002

Thermo-optical characterization of fluorescent rhodamine B based temperature-sensitive nanosensors using a CMOS MEMS micro-hotplate

Chauhan, Veeren M., Hopper, Richard H., Ali, Syed Z., King, Emma M., Udrea, Florin, Oxley, Chris H., Aylott, Jonathan W.

Журнал:

Sensors and Actuators B: Chemical

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.27 MB

english, 2014

[IEEE IC's (ISPSD) - Barcelona, Spain (2009.06.14-2009.06.18)] 2009 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's - On the static performance of the RESURF LDMOSFETS for power ICs

Iqbal, Md Mash-Hud, Udrea, Florin, Napoli, Ettore

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 711 KB

english, 2009

[Inst. Electr. Eng. Japan 13th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. IPSD '01 - Osaka, Japan (4-7 June 2001)] Proceedings of the 13th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. IPSD '01 (IEEE Cat. No.01CH37216) - Lateral unbalanced super junction (USJ)/3D-RESURF for high breakdown voltage on SOI

Ng, R., Udrea, F., Sheng, K., Ueno, K., Amaratunga, G.A.J., Nishiura, M.

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 427 KB

english, 2001

Novel Buried Field Rings Edge Termination for 4H-SiC High-Voltage Devices

Mihaila, Andrej, Udrea, F., Godignon, Phillippe, Trajkovic, T., Brezeanu, G., Rebollo, Jose, Millán, José

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 700 KB

english, 2003

Laser polishing of optical fiber end surface

Udrea, Mircea

Журнал:

Optical Engineering

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 245 KB

english, 2001

[American Institute of Aeronautics and Astronautics AIAA/AAS Astrodynamics Specialist Conference - San Diego, CA ()] AIAA/AAS Astrodynamics Specialist Conference - Attitude Determination and Control System Design for a 6U CubeSat for Proximity Operations and Rendezvous

Franquiz, Francisco J., Edwards, Peter, Udrea, Bogdan, Nayak, Michael V., Pueschl, Thorsten

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.88 MB

english, 2014

Multi-field simulations and characterization of CMOS-MEMS high-temperature smart gas sensors based on SOI technology

Lu, Chih-Cheng, Liao, Kuan-Hsun, Udrea, F, Covington, J A, Gardner, J W

Журнал:

Journal of Micromechanics and Microengineering

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 928 KB

english, 2008

Nanosatellite maneuver planning for point cloud generation with a rangefinder

Nayak, Michael, Beck, Jaclyn, Udrea, Bogdan

Журнал:

IEEE Transactions on Aerospace and Electronic Systems

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.51 MB

english, 2015

SPIE Proceedings [SPIE ROMOPTO 2009 - Sibiu, Romania (Monday 31 August 2009)] ROMOPTO 2009: Ninth Conference on Optics: Micro- to Nanophotonics II - Excimer laser micro-machining optimization using beam-homogenizers-based optical system

Sava, Vasile, Vlad, Valentin I., Ilie, Cristinel, Popa, Marius, Stoica, Mihaela, Udrea, Mircea

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.91 MB

english, 2009

Guest Editorial Special Issue on Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies

Ng, Wai Tung, Udrea, Florin, Omura, Ichiro, Vobecky, Jan, Disney, Don

Журнал:

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 581 KB

english, 2017

Material Limit of Power Devices--Applied to Asymmetric 2-D Superjunction MOSFET

Журнал:

Kang, Hyemin, Donato, Nazareno, Udrea, Florin

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 872 KB

english, 2018

Effect of Pillar Ripple on Static and Dynamic Trade-Offs in Superjunction MOSFETs

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.72 MB

2020

An advanced physical model for the Coulombic scattering mobility in 4H-SiC inversion layers

Naydenov, K., Donato, N., Udrea, F.

Журнал:

Рік:

2020

Файл:

PDF, 3.65 MB

2020

[IEEE 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - Vienna, Austria (2020.9.13-2020.9.18)] 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - Single and repetitive surge current events of 3.3 kV-20 A 4H-SiC JBS rectifiers: the impact of the anode layout

Donato, Nazareno, Udrea, Florin, Mihaila, Andrei, Knoll, Lara, Romano, Gianpaolo, Kranz, Lukas, Antoniou, Marina

Рік:

2020

Файл:

PDF, 2.39 MB

2020

The effect of the hole current on the channel inversion in trench insulated gate bipolar transistors (TIGBT)

Florin Udrea, Gehan A.J. Amaratunga, Qin Huang

Журнал:

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 693 KB

english, 1994

Dynamic body potential variation in FD SOI MOSFETs operated in deep non-equilibrium regime: Model and applications

M. Bawedin, S. Cristoloveanu, D. Flandre, F. Udrea

Журнал: